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起止时间:2020-02-29到2020-07-31
更新状态:已完结
第三章 光刻技术 第三章 单元测验
1、 极紫外光的光源波长是
A:193nm
B:218nm
C:13nm
D:135nm
答案: 13nm
2、 以下方法中，哪些不可以可以提高光刻的分辨率
A:增加波长
B:离轴照明技术
C:临近效应修正技术
D:移相掩膜技术
答案: 增加波长
3、 集成电路中的图形化工艺一般分为两步，一步是将掩膜版上的图形转移到光刻胶上，称为
A:光刻
B:曝光
C:显影
D:刻蚀
答案: 光刻
4、 以下各种中，哪些不是软烘的作用
A:去除胶中的溶剂
B:增强光刻胶的粘附性
C:减少产生的应力
D:增强薄膜的抗腐蚀能力
答案: 增强薄膜的抗腐蚀能力
5、 在曝光之前需要将掩膜版上的对准记号与硅片上的对准几号对准，该工序称为
A:对准
B:套刻
C:光刻
D:刻蚀
答案: 对准
6、 利用一定的化学试剂将经过曝光后的可溶性的光刻胶溶解掉，从而在光刻胶上显示出掩膜版相对应的图形，该工序称为
A:涂胶
B:曝光
C:显影
D:刻蚀
答案: 显影
7、 以下各种光刻技术中，不属于非光学曝光的是
A:电子束光刻
B:离子束光刻
C:X射线光刻
D:浸润式光刻
答案: 浸润式光刻
8、 利用透镜将衍射的光聚焦，提高分辨率的方法为
A:利用透镜减少衍射技术
B:移相掩膜技术
C:离轴照明技术
D:浸润式光刻技术
答案: 利用透镜减少衍射技术
9、 利用光学镜头和晶圆之间的介质，由水代替空气的光刻技术称为
A:离轴照明技术
B:移相掩膜技术
C:浸润式光刻技术
D:接触式光刻技术
答案: 浸润式光刻技术
10、 通常，光刻的分辨率与波长之间的关系是
A:波长越短，分辨率越高
B:波长越短，分辨率越低
C:波长与分辨率关系不大
D:波长与分辨率之间的关系不确定
答案: 波长越短，分辨率越高
11、 以下几种光刻方法中，属于光学曝光的是
A:接触式
B:接近式
C:投影式
D:扫描式
答案: 接触式;
接近式;
投影式
12、 光刻胶，又称光致抗蚀剂，主要成分是
A:感光剂（树脂）
B:增感剂
C:溶剂
D:其他添加剂，例如活性剂等。
答案: 感光剂（树脂）;
增感剂;
溶剂;
其他添加剂，例如活性剂等。
13、 影响光刻胶厚度的因素主要有
A:转速
B:光刻胶的黏度
C:抗腐蚀性
D:均匀性
答案: 转速;
光刻胶的黏度
14、 生产中中，产生紫外光的装置通常是
A:高压汞灯
B:准分子激光
C:钠灯
D:灯丝
答案: 高压汞灯;
准分子激光
15、 光刻技术的三大要素是
A:曝光机
B:掩膜版
C:显影液
D:光刻胶
答案: 曝光机;
掩膜版;
光刻胶
16、 光刻的工艺要求是
A:图形完整，尺寸准确
B:套准对准，套准精度高
C:表面干净
D:具有一定的工艺宽容度
答案: 图形完整，尺寸准确;
套准对准，套准精度高;
表面干净;
具有一定的工艺宽容度
17、 光刻胶的主要性能指标包括
A:抗蚀性
B:灵敏度
C:分辨率
D:粘附性
答案: 抗蚀性;
灵敏度;
分辨率;
粘附性
18、 光刻工艺首先要对硅片进行预处理，主要包括
A:平整度和清洁度的检查
B:清洗
C:烘焙
D:增粘初六
答案: 平整度和清洁度的检查;
清洗;
烘焙;
增粘初六
19、 旋转涂胶的过程主要包括
A:滴胶
B:加速旋转
C:甩胶
D:溶剂挥发
答案: 滴胶;
加速旋转;
甩胶;
溶剂挥发
20、 软烘的方法有很多，例如
A:烘箱
B:红外
C:热板
D:电阻丝
答案: 烘箱;
红外;
热板
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