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起止时间:2020-03-24到2020-06-30
更新状态:已完结
第一章 概论 第一章测试
1、 摩尔定律将遇到前所未有的挑战，挑战不包含哪个（）
A:计算密度增加、工作功耗密度和漏电功耗密度大幅度增长
B:功耗密度持续提高、散热无法解决
C:互连延时降低，互连能耗减小
D:工艺复杂，成本降低难以持续
答案: 互连延时降低，互连能耗减小
2、 到今年为止，工艺尺寸还在scaling down吗？
A:是的，目前最新工艺已进展到10nm、7nm
B:在14nm FinFET出现后，工艺特征尺寸已停止下降
C:在14nm FinFET出现后，工艺特征尺寸下降的很缓慢
D:不知道
答案: 是的，目前最新工艺已进展到10nm、7nm
3、 你认为数字集成电路最重要的三大指标是什么？
A:速度
B:功耗
C:可靠性
D:面积
答案: 速度;
功耗;
面积
4、 摩尔定律预测单个芯片上的晶体管数目每2年会增加一倍
A:正确
B:错误
答案: 正确
5、 VLSI芯片内部处理的是模拟信号
A:正确
B:错误
答案: 错误
6、 集成电路行业之所以追求摩尔定律的高速发展，是因为对技术奖进步的追求，最看重的是特征尺寸下降带来的技术提高。
A:正确
B:错误
答案: 错误
分析：成本驱动也是重要因素
第二章 MOS晶体管原理 第二章测试
1、 下面哪个图是增强型NMOS转移特性曲线
A:
B:
C:
D:
答案:
2、 以下哪个条件是线性区的条件
A:
B:
C:
D:
答案:
3、 MOS晶体管的电学本质：电压控制电流源
A:正确
B:错误
答案: 正确
4、 MOS器件的最高工作频率与其沟道长度的平方成正比，增大沟道长度L可有效地提高工作频率。
A:正确
B:错误
答案: 错误
第二章 MOS晶体管原理 第二章单元测试
1、 MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的____效应产生的。
A:体
B:衬底偏置
C:沟道长度调制
D:亚阈值导通
答案: 沟道长度调制
2、 MOS管一旦出现_____现象，此时的MOS管将进入饱和区。
A:夹断
B:反型
C:导电
D:耗尽
答案: 夹断
3、 以下哪些为MOS管相关的二阶效应：①短沟道效应；②窄沟道效应；③漏致势垒降低效应；④闭锁效应；⑤热载流子效应
A:①②③④⑤⑥
B:①②③④⑤
C:①③④⑤⑥
D:①②③⑤⑥
答案: ①②③④⑤⑥
4、 当晶体管的W值较小时，受窄沟道效应的影响，晶体管的阈值电压
A:升高
B:降低
C:不变
D:以上均不对
答案: 升高
5、 随着MOS器件尺寸的缩小，源端和反向偏置的漏端结的耗尽区对器件的影响变得重要。由于在栅下的一部分区域已被耗尽，导致器件的阈值电压
A:升高
B:降低
C:不变
D:以上均不对
答案: 降低
6、 我们希望栅源电压一旦下降至阈值电压以下时电流应当下降得尽可能 ，即斜率系数S的值越 。
A:慢；小
B:慢；大
C:快；小
D:快；大
答案: 快；小
7、 下面关于MOSFET电容不正确的是：
A:结电容是由正向偏置的源-体和漏-体之间的pn结引起的。
B:避免电路工作在阈值电压附近可以使线性电容具有较好特性。
C:栅至沟道的电容CGC的大小以及它的划分取决于工作区域和端口电压。
D:横向扩散xd是由工艺决定的，习惯上把它与每单位面积的栅氧电容相乘得到每单位晶体管宽度的覆盖电容。
答案: 结电容是由正向偏置的源-体和漏-体之间的pn结引起的。
8、 短沟道器件的阈值电压往往会随时间漂移，这是由于热载流子效应，一般这个效应使NMOS器件的阈值电压 ，使PMOS器件的阈值电压 。
A:升高；降低
B:升高；升高
C:降低；降低
D:降低；升高
答案: 升高；降低
9、 下面有关MOS晶体管阈值电压的说法不正确的是：
A:当源与体之间存在衬底偏置电压VSB时，将会使n沟MOS管的阈值电压增大。
B:随着栅电压的不断提高，耗尽区宽度将逐渐增大。
C:阈值电压通常对于NMOS器件是一个正值，对于PMOS器件是一个负值。
D:p型硅衬底的费米势的典型值是-0.3V。
答案: 随着栅电压的不断提高，耗尽区宽度将逐渐增大。
第二章 下 设计与工艺接口 第二章 下 测试
1、 重要参数阈值电压由很多因素决定，下列哪个不包含在内
A:衬底掺杂浓度
B:氧化层厚度
C:多晶硅与衬底的功函数差
D:栅极电压
答案: 栅极电压
2、 下列哪个选项不属于设计与工艺接口
A:工艺抽象
B:电学设计规
C:几何设计规则
D:工艺检查与监控
答案: 工艺抽象
3、 几何设计规则给出的是一组版图设计的最大允许尺寸
A:正确
B:错误
答案: 错误
4、 下图曲线是倒相器在各个工艺角下的仿真结果，从上往下工艺角越来越差
A:正确
B:错误
答案: 错误
第三章 反相器和组合逻辑电路 第三章测试
1、 下图对应的逻辑表达式是
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