模拟电子技术(中南大学) 2024智慧树满分答案

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第一章 单元测试

1、判断题:
BJT管的输入电阻比MOSFET的输入电阻高。

A:错
B:对
答案:

2、判断题:
稳压管的稳压作用是利用了PN结的反向截止特性。

A:对
B:错
答案:

3、单选题:
要实现BJT的放大作用,对发射结与集电结的要求是(           )。

A:发射结反偏,集电结正偏
B:发射结正偏,集电结反偏
C:发射结正偏,集电结正偏
D:发射结反偏,集电结反偏
答案: 发射结正偏,集电结反偏

4、单选题:
工作在放大区的某晶体三极管,如果当IB12μA增大到22μA时,IC1mA变为2mA,那么它的β 约为(       )。

A:50
B:90
C:83
D:100
答案: 100

5、单选题:
在放大电路中,测得BJT管三个管脚电位分别为6V6.7V12V,则这三个管脚分别是(          )。

A:C、E、B
B:C、B、E
C:E、B、C
D:E、C、B
答案: E、B、C

6、单选题:
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A:4.3

B:5.7
C:73
D:8.7
答案: 5.7

7、单选题:
设某增强型N沟道MOSUGSth=3V,试问当它的栅源电压uGS=2.5V时,该管处于        )区。

A:截止
B:可变电阻

C:放大
D:击穿
答案: 截止

8、多选题:
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A:b
B:d
C:c
D:a
答案: c;a

9、多选题:
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A:c
B:a
C:b
D:d
答案: c;a

10、多选题:
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A:c
B:a
C:d
D:b
答案: d;b

第二章 单元测试

1、判断题:
阻容耦合两级放大电路各级的Q点相互独立,所以可以各级独自计算各自的Q点。

A:对
B:错
答案:

2、判断题:
耗尽型NMOS管的多子与少子都参与导电。(      

A:对
B:错
答案:

3、单选题:
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A:0.7
B:12
C:0.5
D:6
答案: 12

4、单选题:
设某增强型N沟道MOSUGSth=3V,试问当它的栅源电压uGS=2.5V时,该管处于        )状态。

A:放大
B:饱和
C:击穿
D:截止
答案: 截止

5、单选题:
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A:5.7
B:6
C:4.03
D:4.24
答案: 4.03

6、单选题:
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A:= -1200
B:=1200
C:<1200
D:>1200
答案: <1200

7、单选题:
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A:100
B:40
C:10
答案: 100

8、多选题:

现有直接耦合基本放大电路如下,有电流放大作用的电路是(       )。

A:共漏电路
B:共集电路
C:共射电路
D:共源电路
E:共基电路
答案: 共漏电路;共集电路;共射电路;共源电路

9、多选题:
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A: 模拟电子技术(中南大学) 2024智慧树满分答案
B: 模拟电子技术(中南大学) 2024智慧树满分答案
C: 模拟电子技术(中南大学) 2024智慧树满分答案                                            
D: 模拟电子技术(中南大学) 2024智慧树满分答案
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10、多选题:
在多级放大电路下列三种三种耦合方式中,(       )耦合不能放大直流信号。

A:阻容
B:变压器
C:直接
答案: 阻容;变压器


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模拟电子技术(中南大学) 2024智慧树满分答案第18张zhiding


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